铄思百检测

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射电子显微镜(TEM-EDS)扫描电子显微镜(FESEM-EDS)球差电镜激光共聚焦显微镜(LSCM)原子力显微镜(AFM)电子探针仪(EPMA)金相显微镜电子背散射衍射仪(EBSD)台阶仪,膜厚仪,探针接触式轮廓仪,3D轮廓仪工业CT白光干涉仪(非接触式3D表面轮廓仪)电镜测试FIB制样离子减薄制样冷冻超薄切片制样树脂包埋制样(生物制样)液氮脆断制样金网钼网铜网超薄碳膜微栅制样电镜制样X射线光电子能谱分析仪(XPS)紫外光电子能谱(UPS)俄歇电子能谱(AES)X射线衍射仪(XRD)X射线散射仪SAXS/WAXSX射线残余应力分析仪X射线荧光光谱分析仪(XRF)电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)紫外可见反射仪(DRS)拉曼光谱(RAMAN)紫外-可见分光光度计(UV)圆二色谱(CD)傅里叶变换红外光谱分析仪(FTIR)吡啶红外(DRIFTS)单晶衍射仪穆斯堡尔光谱仪稳态瞬态荧光光谱分析仪(PL)原子吸收分光光度计原子荧光光度计(AFS)三维荧光 /荧光分光光度计红外热成像仪雾度仪旋光仪椭偏仪光谱测试电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)电喷雾离子化质谱仪(ESI-MS)顶空-固相微萃取气质联用仪(HS -SPME -GC -MS)二次离子质谱(SIMS)基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-TOF)裂解气质联用仪(PY-GC-MS)气质联用仪(GC-MS)同位素质谱仪液质联用仪(LC-MS)质谱测试差示扫描量热仪(DSC)热重分析仪(TGA)热分析联用仪(DSC-TGA)静态/动态热机械分析仪(TMA/DMA)热重红外联用仪(TG-IR)热重红外质谱联用仪(TG-IR-MS)热重红外气相质谱联用(TG-IR-GC-MS)红外热成像仪激光导热仪锥形量热仪(CONE)热谱测试电子顺磁共振波谱仪(EPR、ESR)固体核磁共振仪(NMR)液体核磁共振仪(NMR)微波网络矢量分析仪/矢量网络分析仪核磁顺磁波谱测试比表面及孔径分析仪(BET)表面张力仪(界面张力仪)高压吸附仪化学吸附仪(TPD TPR)接触角测量仪纳米压痕仪压汞仪(MIP)表界面物性测试气相色谱仪(GC)高效液相色谱仪(HPLC)离子色谱仪(IC)凝胶色谱仪(GPC)液相色谱(LC)色谱测试电导率仪电化学工作站腐蚀测试仪介电常数测定仪卡尔费休水分测定仪自动电位滴定仪电化学仪器测试Zeta电位仪工业分析激光粒度仪流变仪密度测定仪纳米粒度仪邵氏 维氏 洛氏硬度计有机卤素分析仪(F,Cl,Br,I,At,Ts)有机元素分析仪(EA)粘度计振动样品磁强计(VSM)土壤分析测试植物分析测试其他测试同步辐射GIWAXS GISAXS同步辐射XRD,PDF,SAXS同步辐射吸收谱-高能机时同步辐射吸收谱之软X射线同步辐射吸收谱之硬X射线同步辐射聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)矿物定量分析系统MLA球差校正透射电子显微镜高端电镜类原位XPS测试原位EBSD(in situ -EBSD)原位红外原位扫描电子显微镜(in-situ-SEM)原位透射电子显微镜高端原位测试飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)辉光放电光谱(GD-OES MS)三维原子探针(APT)高端质谱类Micro/Nano /工业CT飞秒瞬态吸收光谱仪(fs-TAS)扫描隧道显微镜深能级瞬态谱仪正电子湮灭寿命谱仪其他XPS数据分析XRD全岩黏土分析表面成分分析技术-XPS测试分析常规XRD数据分析成分指纹分析技术-红外测试分析二维红外光谱技术红外(IR)数据分析拉曼数据分析三维荧光数据分析圆二色谱(CD)数据分析成分含量分析EPR/ESR数据分析VSM数据分析电化学数据分析矢量网络数据分析电磁分析CT数据分析X射线吸收精细结构普(XAFS)数据分析穆斯堡尔谱数据分析小角散射(SAXS/WAXS)数据分析高端测试分析固体核磁数据分析液体核磁(NMR)测试+分析一体化液体核磁(NMR)数据分析化学结构分析EBSD数据分析TEM数据分析单晶XRD数据分析晶体结构确证技术-XRD精修XRD定性定量分析晶体结构分析BET数据分析其它数据分析需求热分析数据处理数据分析作图其他数据分析常规理化-水样常规理化-土样/沉积物常规理化-气体常规理化-植物/蔬果/农作物常规理化-食品常规理化-肥料/饲料常规理化-岩矿常规理化-垃圾常规理化-职业卫生常规理化-其它常规理化项目纤维素、半纤维素、木质素含量bcr形态顺序提取/tessier五步提取法土壤水体抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非标理化-其它非标理化项目稳定同位素放射性同位素同位素-其它金属同位素同位素多糖的单糖组成测定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化学-常规指标糖化学液质联用LCMS高效液相色谱HPLC气相色谱GC气质联用GCMS全二维气质GC×GC-MS气相色谱-离子迁移谱联用仪(GC-IMS)液相色谱-原子荧光联用(LC-AFS)制备型HPLC色谱质谱数据分析液相色谱-电感耦合等离子体质谱(LC-ICPMS)色谱质谱DOM(FT- ICR- MS)水质NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)数据分析环境高端电池产品整体解决方案正极颗粒表面微观形貌正极颗粒物截面形貌与元素三元正极颗粒循环前后晶界裂纹正极颗粒掺杂元素分布正极颗粒截面元素分布和晶格表征正极极片原位晶相分析正极极片截面元素分布和晶格表征正极表面CEI膜测试方法XPS正极极片截面微观形貌观察和元素分布正极极片CEI膜成分分析与厚度测定正极极片介电常数正极极片浸润性正极极片包覆层观察正极极片杂质含量测定正极极片氧空位测定负极颗粒表面微观形貌观察和元素分布负极颗粒截面微观形貌观察和元素分布石墨类型判定负极颗粒粒径分析负极极片孔洞分析负极颗粒包覆层观察负极颗粒羟基含量测定负极极片包覆层观察负极表面SEI膜分析XPS法负极极片SEI膜成分分析与厚度测定负极极片截面微观形貌观察和元素分布负极极片石墨碳和无定型碳比例隔膜表面微观形貌观察隔膜循环前后孔径变化质子交换膜形貌(厚度)观察 CP+SEM质子交换膜杂质元素电池循环后鼓包气电池循环后爆炸气锂电池极片和集流体间的粘结强度三元正极材料NCM比例燃料电池-整体解决方案电池产品-隔膜电池产品-优势项目正极材料-PH值正极材料-比表面积正极材料-磁性异物正极材料-化学成分正极材料-晶体结构正极材料-粒径分布正极材料-首次放电比容量及首次库伦效率正极材料-水分含量正极材料-松装密度正极材料-未知物分析正极材料-形貌,厚度与结构正极材料-压实密度正极材料-振实密度电池产品-正极材料负极材料-PH值负极材料-比表面积负极材料-层间距 石墨化度负极材料成分分析负极材料-磁性异物负极材料-粉末压实密度负极材料-固定碳含量负极材料-化学成分负极材料-粒径分布负极材料-石墨鉴定负极材料-水分负极材料-限用物质含量负极材料-形貌与结构负极材料-阴离子的测定负极材料-有机物含量负极材料-真密度负极材料-振实密度负极颗粒-石墨取向性(OI值)首次放电比容量及首次库伦效率电池产品-负极材料电解液-电导率电解液-化学元素含量电解液-密度电解液-水分含量电解液-未知物分析电解液-游离酸(HF含量)电池产品-电解液电池产品-隔膜电池产品-隔膜
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晶体结构确证技术-XRD精修

 
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晶体结构确诊技术-XRD精修


设备型号


GSAS/GSASII/TOPAS/Fullprof


样品准备须知!!!


亲爱的同学您好!请您仔细阅读以下条款,有问题及时和工作人员联系确认,下单即表示同意以下条款!!

1、XRD精修是基于已获得的XRD测试数据和XRD精修原则,我们尊重事实,提供合理的数据处理结果,保证数据处理的合理性、真实性,但是不一定与您的预期完全一致,请理性对待。

2、XRD精修内容不包括文字解读精修结果,不包括文章内容撰写,我司可协助指正修改,协助回复审稿意见。

3、精修数据强度要求:提供谱图源文件(raw/txt/asc/xrdml等常见格式),主峰(最强峰)10000counts左右,次强峰3000counts左右,信噪比大于8。测试终止角度至少90°。如达不到要求需重新寄样测试。若数据信噪比低,精修结果误差较大,强行精修须有自己提供的文献支撑,否则后果自负!

4、在铄思百做的数据分析,我们可以协助回复该部分的审稿意见。

5、数据分析及解释仅针对于本次数据分析,其他问题请自行查阅相关资料。

6、多相材料默认全部精修,精修部分物相会造成指标偏高,强行精修后果自负!

7、三维球棍模型图的配色和原子大小比例按照默认的给出,有特殊要求请提前说明,否则后果自负!

8、精修结构我们可提供大致的精修流程和精修方法,无法提供详细的精修过程和详细的参数设置情况,请谅解!

9、不需要寄送样品的最后样品寄送处选择自己送样。

10、结果收到后,请务必及时查看结果,有问题及时反馈,我们的售后周期为分析结果上传后一个月内。



样品测试填写要求注意事项


样品数量

填写需要测试样品的数量

样品编号(名称):

请输入该组样品编号,以逗号分隔,例如1,2,3

材料名称和制备流程:

精修目的和要求:

测试条件:铜靶,5-90°,1°/min    铜靶,5-90°,0.5°/min

钴靶,5-90°,2°/min    已有数据      其他

物相鉴定结果:

填写物相化学式和卡片号,例如SiO2
96-010-4567

晶相个数1个/2个/3个/4个/5个/6个及以上

四方晶相的ZrO2和立方晶相的ZrO2是两个晶相,算两个晶相。SiO2和Al2O3是两个物相,都算两相。

材料类型【可多选】: 电池/掺杂材料/水泥/矿物/合金/固溶体/陶瓷/工业废料/

高温熔融材料/COF材料/MOF材料(有类似CIF文件)/其他

9.分析项目【可多选】基础精修数据/原子占位/键长键角/层间距/石墨化度/三维图/

氧空位/混排度/结晶度/晶粒尺寸/其他

基础精修数据基本涵盖一般需求,内容包括作图数据、cif文件、拟合因子、物相含量和晶胞参数(abcαβγ和Vcell);2、键长或键角数据需要的内容请备注,不备注默认给出全部数据;3、层间距适用于结构为层状结构的材料,非层状结构材料无此项信息;4、混排度适用于电池材料,非电池材料一般无此项信息;5、需要三维图需要提前给出示例图,否则按照精修师默认的风格来,且精修之后不能免费调整三维图。

10.是否存在元素掺杂或共占位情况:是/否

11.测试文件上传:



晶体结构确证技术-XRD精修

项目简介


XRD精修简介

Rietveld精修能够提取多晶衍射谱图中的全部信息,越来越成为主流的XRD数据处理方式。通过Rietveld精修,可以获得精确的晶胞参数、晶粒尺寸、微观应变、温度因子、占位率、物相含量等信息。Rietveld精修分析的一般流程是

1. 选择合适XRD仪器。

仔细使用标准样品按照厂家给的操作规程进行校准,记录仪器的零点误差,部分精修软件需要这个参数值;仪器分辨率越高越好,影响分辨率的因素包括光管的焦斑大小、测角仪半径、狭缝等等。但也不要过分追求分辨率,比如增大测角仪半径会提升分辨率,但会导致谱图强度的下降,需要小心的权衡。

2. 样品制备策略

采用合适策略研磨粉末至无颗粒感,颗粒最佳大小在1-10μm。取适量粉末倒入样品池,轻轻压平,确保粉末表面与样品池上表面等高。

块状样品需要将测试部位加工平整,并小心安装样品,确保样品测试面与聚焦圆相切。

3. 选择合适的测试参数

选择合适的测试参数,管流、管压、狭缝宽度、测试时间或扫描速度,记录所有的测试参数。确保衍射图最强峰强度大于10000counts,中等强度的衍射峰强度大于3000counts。尽量测试到120°或更高的2Theta角度范围。高质量谱图是得到好的精修结果的前提。某些精修软件如TOPAS使用前述参数中的狭缝宽度等参数计算仪器展宽的理论值,另一些软件如GSASMAUD等使用标准样品获得仪器参数文件。需要注意的是,标准样品的测试参数要与实际样品的测试参数一致。通常可以向仪器管理人员索取标准样品的测试谱图,按照软件手册制作仪器参数文件,部分实验室可以直接提供仪器参数文件。

4. 物相鉴定与获取cif文件

仔细完成物相鉴定,从数据库获取cif文件。常用的数据库如ICDDPDF4+卡片库或PDF5数据库(2024年开始发行)、ICSD无机物库、剑桥结构数据库(CSDS)、晶体学开放数据库(COD)等。如果初步精修发现某些衍射峰没有相应的布拉格线或计算谱,则需要返回检查物相鉴定结果,是否需要增加物相。

5. Rietveld精修软件

Rietveld精修软件种类繁多,学术论文中常用的精修软件有GSASGSASIIFullprofMAUDTOPAS,部分XRD仪器厂商的数据处理软件也可以完成Rietveld精修。选择适合软件开始你的精修。

6. Rietveld精修策略

Rietveld精修软件的实际操作往往并不容易,也没有固定的精修套路或者步骤,令初学者非常困惑。仔细阅读软件手册或者教程,并向经验人士请教,可以让你快速提高。Rietveld精修过程中,往往需要调整几十个甚至上百个参数,一个基本的策略就是不要同时放开过多的精修参数,这很容易使精修发散。另外就是影响大的因素先精修。

对于初学者建议的顺序如下:标度因子谱图背景晶胞参数
样品偏移
峰形(晶粒尺寸、微观应变、不对称因子等)原子坐标
温度因子
择优取向

透明度原子占位率。如果存在晶粒尺寸各向异性,则需要选择合适的模型处理,部分精修软件不能处理晶粒尺寸各向异性。不要拘泥于上述顺序。Rietveld精修没有必须要遵循的特定步骤,只要精修不发散,任何顺序都是被允许的。精修过程中,仔细观察计算谱与实测谱的差异,并思考是什么因素导致了拟合不好,这需要使用者对XRD原理和包括空间群在内的晶体学知识有较深刻的理解。

7. Rietveld精修结果的判断

使用Rwp因子、χ2来监测Rietveld精修过程,在整个精修过程中,这些因子应该一直是下降的(蒙托卡罗模拟过程例外)。通过误差线的平直程度和结构模型的化学合理性来判断Rietveld精修结果的好坏。

最后,再次强调,高质量的谱图是获得好的Rietveld精修结果的前提。选择合适的仪器设备和测试参数、采取适当的制样策略是获得高质量谱图的关键,这一点往往被忽视。实际工作中,见到不少原始谱图非常毛糙的数据(比如最强峰峰高才1000counts),这种数据即使做完了精修,其结果也是不可靠的。


XRD测试方法汇总

XRD制样:XRD的制样流程比较简单,粉末样品研磨至200-300目即可,然后将粉末样品置于样品架上,用玻璃片压实压平,与凹槽边缘保持在同一水平线上,放入设备中,然后在电脑上设置好测试角度范围,测试时间(速率),步长即可。块体样品一般顺时针打磨一下,消除择优取向。

测试参数:

仪器型号:日本理学Rigaku Smartlab SE

靶材:铜靶/钴靶

射线:

管电压是40kV,电流是40mA

扫速:0.5-5°/min,测试时间15min-3h

扫描范围:5-90°120°

下表是不同靶材的波长和特点


Anode
Ka1
Comments
Cu
1.54060Å
最适合无机物。铁和钴的荧光
Cr
2.28970Å
高分辨率的大d间距。空气中的衰减高。
Fe
1.93604Å
用于铁合金降低铁荧光。引起铬荧光。
Co
1.78897Å
用于铁合金降低铁荧光。
Mo
0.70930Å
波长短用于小单元晶胞


XRD精修方法:

目前主流的精修方法主要包括PawleyLebailRietveld三种,这三种方法也是各有特色:

1. Pawley法:衍射峰由晶胞参数算出

优点:不需要结构模型。

缺点:精修参数太多,计算量大,误差也大。难以解出晶体的结构内层原子信息等。

常用程序:ALLHKL

2. Le Bail法:衍射峰由晶胞参数算出,以晶胞参数及峰形参数为变量做最小二乘拟合

优点:精修参数少,收敛速度快,计算工作量少,结果准。

缺点:有相同或非常相近的位置衍射峰的Ikc最终是相等的,需要剔除。

常用程序:fullprof, extra

3. Rietveld 法:给定一个大致正确的结构模型、选择合适的峰型参数、仪器参数、背底函数进行拟合,得到一个修正的与实际相符的结构模型

优点:应用较广,能较精确确定晶体结构、定量定性分析物相分析材料的微结构,对材料结

构的把握较前两者更为准确

缺点:需要一个较为准确的初始模型,计算过程相对复杂。

常用程序:fullprofgsastopas


Cif 下载方法

1. Inorganic crystal structure database (ICSD) available at
www.nist.gov or at http://icsdweb.fiz-karlsruhe.de/index.php

2. Bruker-AXS structure database (a few hundred minerals)

3. Free databases:

www.crystallography.net

American Mineralogist Crystal structure database http://rruff.geo.arizona.edu/AMS/amcsd.php

Min-Chryst http://database.iem.ac.ru/mincryst/

Search for the structure in Google


Some structures in free data bases may have to be reformatted, if they do not conform to the standard CIF format.


样品要求


对数据的要求:提供谱图源文件(rawxrdmlmdicsvtxtasc等常见格式),最强峰峰强至少达到5000,一万左右最佳,无机物材料的测试范围最好是5-120°,信噪比高,需要自己先定性。


结果展示


精修常见拟合参数说明:

一般精修拟合参数是4R判据和 Gof / χ2,这里给出一些精修结果判据因子的数学公式。

通常以为,Rwp
< 15%S
~ 2
可用,Rwp<10%合理。


精修拟合图案例展示:

其中,红色圆圈表示原始数据;黑色实线表示计算数据,精修图谱;绿色竖线表示布拉格位置;蓝色实线表示两者的差值,差值越小,线段越直,拟合结果也就越好。放大绿线中差值比较明显的部分,可根据呈现出的不同形状类型,应用于精修过程中不同的改进策略。

三维结构图案例展示:

精修结果报告模板:



测试提示:


1.可开正规测试发票,附带测试清单。

2.有腐蚀性,毒性,或其他有危害性等特殊样品要事先告知测试人员,测试人员也要告知样品方哪些样品不能测或会对仪器产生损伤,测试后会对样品产生哪些变化;

3.客户需提供详细的样品资料,包括元素,主要成分和详细测试参数及条件。和测试人员充分讨论,商定最终测试条件;

4.测试人员与顾客通过QQ,微信或邮件沟通,出现测试纠纷,邮件或聊天记录将作为重要的仲裁依据;请加QQ和技术人员交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜绝测试、解析和合成违反国家相关法律法规的样品,一经发现将追究其法律责任。



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